型号 |
SI3443DV |
厂商 |
Fairchild Semiconductor |
描述 |
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
SI3443DV PDF |
|
代理商 |
SI3443DV
|
产品变化通告 |
Mold Compound Change 08/April/2008
|
产品目录绘图 |
MOSFET SuperSOT-6
|
标准包装 |
1 |
系列 |
PowerTrench® |
FET 型 |
MOSFET P 通道,金属氧化物
|
FET 特点 |
逻辑电平门
|
漏极至源极电压(Vdss) |
20V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
4A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
65 毫欧 @ 4A,4.5V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1.5V @ 250µA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs |
10nC @ 4.5V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds |
640pF @ 10V
|
功率 - 最大 |
800mW
|
安装类型 |
表面贴装
|
封装/外壳 |
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
|
供应商设备封装 |
6-SSOT
|
包装 |
剪切带 (CT)
|
产品目录页面 |
1603 (CN2011-ZH PDF)
|
其它名称 |
SI3443DVFSCT
|